ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров

динамическое сопротивление выпрямительного диода
r_дин
r_T
Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• slope resistance

DE

• dynamischer Widerstand der Diode

FR

• résistance apparente directe

61. Динамическое сопротивление выпрямительного диода

D. Dynamischer Widerstand der Diode

E. Slope resistance

F. Résistance apparente directe

r_дин

Сопротивление, определяемое наклоном прямой, аппроксимирующей прямую вольт-амперную характеристику выпрямительного диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

напряжение впадины туннельного диода
U_в
U_V
Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• туннельные диоды

EN

• valley point voltage

DE

• Talspannung der Tunneldiode

FR

• tension de vallée

70. Напряжение впадины туннельного диода

D. Talspannung der Tunneldiode

E. Valley point voltage

F. Tension de vallée

U_в

Значение прямого напряжения, соответствующее току впадины туннельного диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

напряжение пика туннельного диода
U_П
U_P
Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• туннельные диоды

EN

• peak point voltage

DE

• Höckerspannung der Tunneldiode

FR

• tension de pic

69. Напряжение пика туннельного диода

D. Höckerspannung der Tunneldiode

E. Peak point voltage

F. Tension de pic

U_п

Значение прямого напряжения, соответствующее пиковому току туннельного диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

напряжение раствора туннельного диода
U_рр
U_РР
Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• туннельные диоды

EN

• projected peak point voltage

DE

• projezierte Höckerspannung

FR

• tension isohypse

71. Напряжение раствора туннельного диода

D. Projezierte Höckerspannug

E. Projected peak point voltage

F. Tension isohypse

U_рр

Значение прямого напряжения на второй восходящей ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором ток равен пиковому

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
U_{обр.и.нп}, U_RSM
Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.
Примечание
Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• non-repetitive (surge) reverse voltage

DE

• nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de pointe non-répétitive

37. Неповторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Nichtperiodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Non-repetitive (surge) reverse voltage

F. Tension inverse de pointe non-répétitive

U_{обр.и.нп}

Наибольшее мгновенное значение неповторяющегося переходного обратного напряжения выпрямительного диода.

Примечание. Неповторяющееся переходное напряжение обусловливается обычно внешней причиной и предполагается, что его действие исчезает полностью до появления следующего переходного напряжения

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

отношение токов туннельного диода
I_п/I_в
I_p/I_V
Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• туннельные диоды

EN

• peak to valley point current ratio

DE

• Höcker-Talstrom-Verhälthis der Tunneldiode

FR

• rapport de dénivellation du courant

68. Отношение токов туннельного диода

D. Höcker-Talstrom-Verhälthis der Tunneldiode

E. Peak to valley point current ratio

F. Rapport de dénivellation du courant

I_п / I_в

Отношение пикового тока к току впадины туннельного диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

отрицательная проводимость туннельного диода
g_пер
g_j
Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• туннельные диоды

EN

• negative conductance of the intrinsic diode

DE

• negativer Leitwert der Tunneldiod

FR

• conductance négative de la diode intrinséque

72. Отрицательная проводимость туннельного диода

D. Negativer Leitwert der Tunneldiode

E. Negative conductance of the intrinsic diode

F. Conductance négative de la diode intrinséque

g_пер

Дифференциальная проводимость перехода на падающем участке прямой ветви вольт-амперной характеристики туннельного диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода
U_обр.и.п, U_RRM
Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.
Примечание
Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• repetitive peak reverse voltage

DE

• periodische Spitzensperrspannung der Diode

FR

• tension inverse de pointe répétitive

36. Повторяющееся импульсное обратное напряжение выпрямительного диода

D. Periodische Spitzensperrspannung der Diode

E. Repetitive peak reverse voltage

F. Tension inverse de pointe répétitive

U_обр.и.п

Наибольшее мгновенное значение обратного напряжения выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные напряжения, но исключая неповторяющиеся переходные напряжения.

Примечание. Повторяющееся напряжение обычно определяется схемой и параметрами диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода
I_пр.и.п, I_FRM
Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неповторяющиеся переходные токи.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• repetitive peak forward current

DE

• periodischer Spitzen-durchlassstrom der Diode

FR

• rcourant direct de pointe épétitif

39. Повторяющийся импульсный прямой ток выпрямительного диода

D. Periodischer Spitzendurchlassstrom der Diode

E. Repetitive peak forward current

F. Courant direct de pointe répétitif

I_пр.и.п

Наибольшее мгновенное значение прямого тока выпрямительного диода, включая повторяющиеся переходные токи и исключая все неповторяющиеся переходные токи

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

пороговое напряжение выпрямительного диода
U_пор, U_(to)
Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику в области больших токов.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• выпрямительные диоды

EN

• threshold voltage

DE

• Schleusenspannung der Diode

FR

• tension de seuil

38. Пороговое напряжение выпрямительного диода

D. Schleusenspannung der Diode

E. Threshold voltage

F. Tension de seuil

U_пор

Значение постоянного прямого напряжения выпрямительного диода в точке пересечения с осью напряжений прямой линии, аппроксимирующей вольт-амперную характеристику в области больших токов

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

предельная резистивная частота туннельного диода
f_R
F_r
Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• туннельные диоды

EN

• resistive cut-off frequency

DE

• Entdämpfungs-Grenz-frequenz der Tunneldiode

FR

• fréquence de coupure résistive

73. Предельная резистивная частота туннельного диода

D. Entdämpfungs-Grenzfrequenz der Tunneldiode

E. Resistive cut-off frequency

F. Fréquence de coupure résistive

f_R

Значение частоты, на которой активная составляющая полного сопротивления туннельного диода на его выводах обращается в нуль

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

ток впадины туннельного диода
I_в
I_V
Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• туннельные диоды

EN

• valley point current

DE

• Talstrom der Tunneldiode

FR

• courant de valléé

67. Ток впадины туннельного диода

D. Talstrom der Tunneldiode

E. Valley point current

F. Courant de vallée

I_в

Значение прямого тока в точке минимума вольт-амперной характеристики туннельного диода, при котором значение дифференциальной активной проводимости равно нулю

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

шумовая постоянная туннельного диода
N_Ш
N_n
Величина, определяемая соотношением:
N_{Ш =} 20lg I_р/g_пер,
где I_р - ток в рабочей точке туннельного диода,
g_пер- отрицательная проводимость туннельного диода.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• туннельные диоды

EN

• noise factor

DE

• Rauschfaktor der Tunneldiode

FR

• facteur de bruit

74. Шумовая постоянная туннельного диода

D. Rauschfaktor der Tunneldiode

E. Noise factor

F. Facteur de bruit

N_ш

Величина, определяемая соотношением:

где I_р - ток в рабочей точке туннельного диода,

g_пер - отрицательная проводимость туннельного диода

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона
δ_Uст
δ_UZ
Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• стабилитроны

EN

• working voltage long-term instability

DE

• zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode

FR

• instabilité à long terme de la tension de régulation

87. Временная нестабильность напряжения стабилизации стабилитрона

D. Zeitliche Instabilitat der Z-Spannung der Z-Diode

E. Working voltage long-term instability

F. Instabilité à long terme de la tension de régulation

δ_Uст

Отношение наибольшего изменения напряжения стабилизации стабилитрона к начальному значению напряжения стабилизации за заданный интервал времени

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время включения стабилитрона
t_вкл
t_оп
Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• стабилитроны

EN

• turn-on time

DE

• Einschaltzeit der Z-Diode

86. Время включения стабилитрона

D. Einschaltzeit der Z-Diode

E. Turn-on time

t_вкл

Интервал времени, определяемый с момента переключения стабилитрона из состояния заданного напряжения до момента достижения установившегося напряжения стабилизации

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

время выхода стабилитрона на режим
t_вых
t_T
Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной 2δ_Uст.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• стабилитроны

EN

• transient time of working voltage

DE

• Stabilisierungszeit der Z-Diode

88. Время выхода стабилитрона на режим

D. Stabilisierungszeit der Z-Diode

E. Transient time of working voltage

t_вых

Интервал времени от момента подачи тока стабилизации на стабилитрон до момента, начиная с которого напряжение стабилизации не выходит за пределы области, ограниченной 28_1Т

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

дифференциальное сопротивление стабилитрона
r_ст
r_z
Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• стабилитроны

EN

• differential resistance within the working voltage range

DE

• Z-Widerstand der Z-Diode

FR

• résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation

84. Дифференциальное сопротивление стабилитрона

D. Z-Widerstand der Z-Diode

E. Differential resistance within the working voltage range

F. Résistance différentielle dans la zone des tensions de régulation

r_ст

Дифференциальное сопротивление при заданном значении тока стабилизации стабилитрона

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

напряжение стабилизации стабилитрона
U_ст
U_z
Значение напряжения стабилитрона при протекании тока стабилизации.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• стабилитроны

EN

• working voltage (of voltage regulator diode)

DE

• Z-Spannung der Z-Diode

FR

• rtens on de égulation

81. Напряжение стабилизации стабилитрона

D. Z-Spannung der Z-Diode

E. Working voltage (of voltage regulator diode)

F. Tens on de régulation

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

предельная частота варикапа
f_пред.в
f_со
Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• варикапы

EN

• cut-off frequency

DE

• Güterfrequenz der Kapazitätsdiode

FR

• fréquence de coupure

78. Предельная частота варикапа

D. Gütefrequenz der Kapazitätsdiode

E. Cut-off frequency

F. Fréquence de coupure

f_пред.в

Значение частоты, на которой реактивная составляющая проводимости варикапа становится равной активной составляющей его проводимости при заданных условиях

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа

температурный коэффициент добротности варикапа
α_Св
α_Qeff
Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды.
[ ГОСТ 25529-82]

Тематики

• полупроводниковые приборы

Обобщающие термины

• варикапы

EN

• temperature coefficient of quality factor

DE

• Temperaturkoeffizient des Gütefaktors der Kapazitätsdiode

79. Температурный коэффициент добротности варикапа

D. Temperaturkoeffizient des Gütefaktors der Kapazitätsdiode

E. Temperature coefficient of quality factor

α_Cв

Отношение относительного изменения добротности варикапа к вызвавшему его абсолютному изменению температуры окружающей среды

Источник: ГОСТ 25529-82: Диоды полупроводниковые. Термины, определения и буквенные обозначения параметров оригинал документа